FORMACIÓN DEL TRANSISTOR PNP

Transistor PNP BC557

Siguiendo el mismo proceso que el comentado con el transistor NPN, se trata en este caso de inyectar huecos a una unión N-P polarizada inversamente. En la figura siguiente la unión N-P superior está polarizada inversamente y a su zona N se le inyectan portadores minoritarios o huecos por medio de la unión N-P inferior, polarizada directamente.

Inyección de huecos en la unión N-P

Dada la estrechez de la base y la alta polarización negativa de la zona P superior o colector, de los 100 huecos que se supone pasan la primera unión N-P, polarizada directamente, la mayoría, 96, se dirigen al colector y el resto pasan a la base. La única diferencia del transistor PNP respecto al NPN consiste en que los portadores móviles del primero son huecos, debiendo considerar que al ser éstos entes inexistentes, en realidad las corrientes de huecos mostradas en la figura anterior serán corrientes de electrones como se han dibujado en la figura siguiente.

Circulación de corriente en un transistor PNP

En general, la tensión inversa entre base y colector varía de 1,5 a 30 V, mientras que la directa entre emisor y base varía entre 0,2 y 0,5 V para el germanio (Ge) y entre 0,5 y 0,8 V para el silicio (Si).

Puedes ver la publicación de la formación del transistor NPN.

Escrito por Archie Tecnology

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