EFECTO TRANSISTOR

Efecto transistor

Tanto en el tipo NPN como en el PNP, el transistor consiste en dos uniones N-P, que se comportan como diodos semiconductores, una de las cuales está inversamente polarizada. Se consigue que circule por ella una gran intensidad polarizando directamente, pero con un valor muy inferior, V_d < V_i , la otra unión y haciendo circular por ella una debilísima corriente. El efecto transistor es tanto más patente cuanto menos intensidad circula por la base, es decir, cuanto menor porcentaje de I_E desvíe por la base, dando origen a I_B. Téngase en cuenta que siempre se cumple I_E = I_B + I_C.

La figura siguiente muestra el comportamiento de los dos tipos de transistores, asemejando cada uno a las dos uniones N-P.

Comportamiento de los transistores tipo PNP y NPN

La potencia desarrollada en la salida del transistor, que es el colector, es grande ( I² . R ), por pasar una intensidad importante por un circuito de gran resistencia interna (está polarizada la unión base-colector inversamente), mientras que para conseguir este resultado sólo ha sido preciso hacer circular una débil intensidad por el circuito de entrada, o sea, entre base y emisor, que posee una pequeña resistencia interna y la potencia que consume es despreciable. De aquí se desprende que el valor de V_d es muy inferior al de V_i.

Escrito por Archie Tecnology

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