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| Corrientes en un transistor |
En el circuito de polarización de un transistor se incluyen dos resistencias, RC y RE, siendo RC la resistencia de carga y la RE limitadora de la IE, pues la impedancia de la unión N-P es muy baja.
La caída de tensión en el diodo de entrada es de 0,6 voltios aproximadamente.
IE = ( VEE - VD) / RE
VD es la tensión umbral de la unión de entrada.
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| Diferentes corrientes que circulan en un transistor |
La corriente de emisor IE está formada por electrones de la región del emisor que cruzan hacia la base, pero la mayoría de ellos llegan a la unión de colector y son atraídos a través de ella.
La base se hace muy estrecha y poco dopada para que no absorba los electrones que vienen del emisor. Para cada electrón que ocupa un hueco de la base, sale un electrón por el conductor de la base.
Estos huecos de la base que cruzan hacia el emisor constituyen la mayor parte de la corriente de base IB.
La mayoría de los electrones que son inyectados en la base se difunden por ella y son capturados por la unión de colector.
En la figura anterior, la IEC es la corriente formada por los electrones que del emisor pasan al colector.
La corriente de saturación del diodo de colector (intensidad de fugas) se llama ICO y se define como: la corriente de colector con polarización inversa y emisor a circuito abierto.
Esta ICO en el transistor NPN que se estudia consiste en electrones generados térmicamente que pasan de la base al colector y huecos que pasan del colector a la base.
Se observa que esta corriente ICO es contraria a IB.
La resistencia total en el circuito de base es muy pequeña, del orden de 10 a 200 ohmios.
Tanto si el transistor es PNP como NPN se cumplen las siguientes relaciones:
IE = IEB + IEC
IE = IC + IB IC = IEC + ICO
IB = IEB - ICO
Escrito por Archie Tecnology
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Buena información
ResponderEliminarBendiciones.
ResponderEliminarYa no recordaba las clases de Física de la secundaria.
Panel iluminado
Saludos.
Creo que la caída de tensión en la unión Base-emisor no es normal que sea 0.2V, salvo en los antiguos transistores de germanio, ahora, con los de silicio, esa tensión suele ser de 0.6V.
ResponderEliminarEn cuanto a esta frase "siendo RC la resistencia de carga y la RE limitadora de la IE,", creo que tampoco es correcta, si es una configuración de emisor común, la carga es la de colector, y si es en colector común o seguidor de emisor, la resistencia de carga está en el emisor.
Encantado en recibir su corrección Manuel Porcel. Efectivamente la caída de tensión en base-emisor en los actuales transistores de silicio es de 0,6V y ya hemos corregido esta errata. En cuanto a las resistencias RE y RC son referentes a la imagen que aparece en la publicación del transistor NPN con las dos resistencias una en el emisor y otra en el colector.
EliminarUn saludo.