UTILIZACIÓN DE LA UNIÓN N-P EN LOS TRANSISTORES

Transistores NPN y PNP

La actuación de la mayoría de los semiconductores deriva de las propiedades y comportamiento de la unión N-P. Así, el transistor está constituido básicamente por dos uniones N-P.

Cuando la unión N-P se polariza directamente se comporta como elemento de baja resistencia y deja pasar mucha corriente, debido a la recombinación de los portadores mayoritarios de las dos zonas, según podemos ver en ésta imagen.

Unión N-P polarizada directamente

Al polarizar inversamente la unión N-P se produce una débil corriente, casi insignificante, originada por la recombinación de los portadores minoritarios de ambas zonas como podemos ver en ésta otra imagen.

Unión N-P polarizada inversamente

En las condiciones de la figura, para alcanzar una circulación importante de corriente es preciso que la zona P aumente considerablemente la cantidad de electrones que posee para poderlos suministrar a la zona N en proporción adecuada; Como los electrones son portadores minoritarios de la Zona P, la única posibilidad de aumentar el contenido de los mismos sería inyectarlos desde el exterior, como se representa gráficamente en la siguiente figura.

Circulación de corriente en la zona N-P por inyección de electrones

También añadiendo huecos a la zona N se conseguirá una corriente importante en el circuito de la unión N-P polarizado inversamente, puesto que la zona P estará en condiciones de ceder gran cantidad de huecos hacia el polo negativo, al mismo tiempo que se los recompensa la zona N. Este supuesto se plantea gráficamente en la figura siguiente, pero ha de tenerse en cuenta que cuando se hable de corriente de huecos lo que verdaderamente sucede es que circula una corriente de electrones en sentido contrario.

Circulación de corriente en zona N-P por inyección de huecos

Resumiendo lo aprendido

Para conseguir corrientes importantes de portadores al polarizar inversamente la unión N-P, es preciso la inyección de electrones a la zona P, o de huecos a la zona N.

Escrito por Archie Tecnology

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