COMPORTAMIENTO DE UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO CON TENSIÓN

Si aplicamos una diferencia de tensión a un semiconductor como el germanio o el silicio puros, el borne positivo atraerá los electrones libres creados por la agitación térmica, mientras que el borne negativo lo hará con los huecos, como se indica en esta imagen.

Comportamiento del germanio o el silicio al aplicarle tensión

Por cada electrón que absorba el polo positivo aparecerá un hueco en la estructura del semiconductor, mientras que el polo negativo absorbe un hueco y deja en la estructura una carga negativa. Se mantendrán por tanto las concentraciones de las cargas de los portadores y en realidad el circuito funcionará como se presenta en la siguiente figura, teniendo en cuenta lo comentado sobre los huecos.

Semiconductor intrínseco con tensión

Así, según lo expuesto anteriormente, podemos resumirlo en lo siguiente: el semiconductor intrínseco, aunque posee una estructura estable y aislante debido al fenómeno de agitación producido por la temperatura, permite el paso de electricidad a través suyo, presentando una resistencia intermedia entre los conductores y los aislantes.

Un electrón de los que forman enlaces covalentes no puede saltar fuera del enlace bajo el único efecto de una tensión exterior; sin embargo, las fuerzas combinadas de una tensión exterior y un hueco próximo facilitan la salida del electrón desde el enlace hasta el hueco, creándose una intensidad de corriente eléctrica.

Escrito por Archie Tecnology

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