CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR EN SATURACIÓN

Transistores en saturación

Si el transistor del circuito de la figura siguiente está saturado y en su diseño se ha usado un coeficiente de seguridad 2, es decir, I_B = 2 x I_C / h_FE, averiguar: 1.º h_FE ; 2.º Validez de la R_C = 470 Ω, y Resistencia de carga mínima.

Polarización de un transistor en saturación

1.º Cálculo de h_FE

I_c = 5 – 0,3 / 470 = 10 mA ;        I_B = 5 – 0,7 / 8000 = 0,5 mA

h_FE = 2 x I_C / I_B = 2 x (10 / 0,5) = 40

2.º ¿ Es válida la R_C = 470 ohmios ?

La Pot_max del transistor es 20 mW. ¿ Cuál es la R_min que puede colocarse como carga ?

En la figura siguiente se comienza dibujando la curva de máxima potencia para 20 mW y después la recta de carga para 470 ohmios que al quedar en la zona permitida, sí es válida.

Para calcular la R_min se traza en la figura siguiente la recta tangente a la curva de máxima potencia y se analiza, para deducir el valor de la resistencia correspondiente, el punto de saturación:

I_C = 16 mA y V_CE = 0, de donde:

R_{C min} = 5 / 0,016 = 312 ohmios.

Curva de máxima potencia de un transistor

Escrito por Archie Tecnology

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