Transistor NPN |
Se dispone de un transistor NPN, cuya potencia máxima de disipación es de 20 mW, estando polarizado mediante una tensión VCE = 10 V a través de una resistencia de carga de 1.000 ohmios.
La curva característica del transistor es conocida y se ofrece en la figura siguiente.
Curva característica del transistor |
1) Dibujar el circuito básico del transistor y su correcta polarización.
2) Dibujar la recta de carga.
3) Dibujar la curva de máxima potencia.
4) Calcular la resistencia de carga de mínimo valor.
5) Sobre la resistencia de carga de mínimo valor, determinar la IB, IC y VCE del punto de reposo.
1º. El dibujo del circuito del transistor es el de la siguiente figura.
Circuito de un transistor polarizado correctamente |
2º. La recta de carga y los dos puntos que la determinan se han representado en esta otra figura.
Recta de carga de un transistor |
3º. Al dibujar en la figura siguiente la curva de máxima potencia se aprecia que la RC de 1.000 ohmios no es válida por tener puntos dentro de la zona prohibida.
Comprobación de resistencia no válida en la recta de carga del transistor |
4º. La resistencia de carga de mínimo valor se halla trazando una recta que, partiendo de 10 V, sea tangente a la curva de máxima potencia. El valor de dicha resistencia se halla aplicando la ley de Ohm al punto de saturación en donde IC = 8 mA y VCE = 0, tal como queda reflejado en la siguiente figura.
Cálculo resistencia mínima de carga de un transistor |
5º. El punto de reposo para la resistencia de carga de 1.250 ohmios será el centro de su recta de carga, que al analizarlo se extraen los valores correspondientes a las corrientes y tensiones pedidas, como podemos observar en esta otra imagen.
Punto de reposo de un transistor |
Escrito por Archie Tecnology
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Muy buena publicacion.
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