COMPARACION DE LOS TRANSISTORES EFECTO DE CAMPO CON BIPOLARES

Transistores efecto de campo FET

Ventajas de los transistores de efecto de campo

1. Elevada impedancia de entrada. 

Puesto que la puerta de los JFET se polariza inversamente y la de los MOS está aislada, la impedancia de entrada de este tipo de transistores es de muchos megaohmios, lo que permite conectarles como carga a cualquier circuito sin afectar su funcionamiento, dada la baja corriente que consumen.

2. Lo dicho anteriormente comporta, además, un bajo consumo de corriente y potencia a la entrada.

3 Los FET son transistores monopolares, sólo circulan por ellos portadores mayoritarios. La no circulación de portadores minoritarios, muy sensibles a los cambios de temperatura, hace que los FET sean más estables a las variaciones de temperatura.

4. Son de tamaño reducido. 

Transistor bipolar

Inconvenientes de los transistores de efecto de campo

1. La potencia de salida que pueden disipar los FET es menor que la de los transistores bipolares, aunque los fabricantes están mejorando rápidamente casi todas las características.

2. El funcionamiento de los FET es menos fiable en los grandes amplificadores y en trabajo a alta frecuencia.

3. Requieren cuidados especiales en su manipulación, pues las cargas electrostáticas pueden perforar el aislante que existe debajo de la puerta.

4. Necesita varias tensiones de polarización.

No obstante estas desventajas, dado su reducido tamaño, son muy apreciados en la fabricación de circuitos integrados. Asimismo, el coste es inferior a los bipolares.

El campo de aplicación de los FET se extiende rápidamente y. cubren amplias áreas en circuitos de:

- amplificación,

- conmutación,

- generación de funciones,

- resistencias variables.

Escrito por Archie Tecnology

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