OPCIONES DE DISPOSITIVO ELECTRÓNICO DE POTENCIA

Encapsulado y símbolo del tiristor

Aunque hay muchos dispositivos semiconductores de potencia, ninguno de ellos tiene las características ideales. 

En forma continua se mejoran los dispositivos existentes y se están desarrollando otros nuevos. Para aplicaciones de alta potencia en la red de 50 a 60 Hz, los tiristores de control de fase y los bidireccionales son las opciones más económicas. 

Los COOLMOS y los IGBT son los reemplazos potenciales de MOSFET y BJT, respectivamente, en aplicaciones de potencias intermedias. 

Los GTO y los IGCT son más adecuados para aplicaciones de gran potencia donde se requiera una conmutación forzada. 

Con los continuos avances de la tecnología, los IGBT se emplean cada vez más en aplicaciones de grandes potencias, y los MCT pueden encontrar aplicaciones potenciales donde se requieran voltajes bidireccionales de bloqueo.

Escrito por Archie Tecnology

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