DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Tiristor SCR BT152-800R

Desde que se desarrolló el primer tiristor de SCR a finales de 1957, ha habido progresos impresionantes en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los tiristores convencionales se habían usado exclusivamente para el control de potencia en aplicaciones industriales. 

A partir de 1970 se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia, que entraron al comercio. Sin embargo, los dispositivos de carburo de silicio todavía están en desarrollo, y la mayor parte de los dispositivos se fabrican con silicio. 

Estos dispositivos se pueden dividir en forma general en tres clases: 

1) diodos de potencia, 

2) transistores y 

3) tiristores. 

También se pueden dividir en general en cinco tipos: 

1) diodos de potencia,

2) tiristores, 

3) transistores de unión bipolar (BJT, de sus siglas en inglés bipolar junction transistors), 

4) transistores de efecto de campo de óxido de metal semiconductor (MOSFET, de sus siglas

en inglés Metal oxide semiconductor field-effect transistors), y 

5) transistores bipolares de compuerta aislada (1GBT, de sus siglas en inglés insulated-gate bipolar transistors) y transistores de inducción estática (SIT, de sus siglas en inglés static induction transistors).

La imagen siguiente muestra la clasificación de los semiconductores de potencia, que se fabrican, ya sea con silicio o con carburo de silicio. 

Clasificación de los semiconductores de potencia

Escrito por Archie Tecnology

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