CARACTERÍSTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA

Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden trabajar como conmutadores, aplicando señales de control a la terminal de compuerta de los tiristores (y a la base de los transistores bipolares). La salida necesaria se obtiene haciendo variar el tiempo de conducción de estos dispositivos de conmutación. La siguiente imagen muestra los voltajes de salida y las características de control de los dispositivos conmutadores de potencia que se usan en forma común. 

Características de control de los dispositivos de conmutación de potencia

Una vez que un tiristor está en modo de conducción, la señal de compuerta, de magnitud positiva o negativa, no tiene efecto, y eso se ve en la sección ( a ) de la imagen anterior. Cuando un dispositivo semiconductor de potencia se encuentra en modo de conducción normal, hay una caída de voltaje pequeña a través de él. En las formas de onda de voltaje de salida de la anterior imagen, se consideran despreciables esas caídas de voltaje, y a menos que se especifique otra cosa, esta hipótesis se hará durante los siguientes artículos.

Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasificar con base en:

1. Cerrado y abertura no controlado (por ejemplo, diodo).

2. Cerrado controlado y abertura no controlado (por ejemplo SCR).

3. Características controladas de cerrado y abertura (por ejemplo BJT, MOSFET, GTO,

SITH, IGBT, SIT, MCT).

4. Necesidad de señal continua en compuerta (BJT, MOSFET, IGBT, SIT).

5. Necesidad de impulso en compuerta (por ejemplo SCR, GTO, MCT).

6. Capacidad de resistencia a voltaje bipolar (SCR, GTO).

7. Capacidad de resistencia a voltaje bipolar (BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT).

8. Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT).

9. Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SITH,

SIT, diodo).

La siguiente tabla muestra las características de interrupción en función de sus señales de voltaje,

corriente y compuerta.

Características de conmutación de los semiconductores de potencia

Escrito por Archie Tecnology

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