Unión P-N
En el tipo P se tienen iones negativos debido a los electrones que acogen los huecos, así como huecos libres.
En este tipo N se tienen iones positivos debido a los electrones que se liberan y
La barrera de potencial está formada por los iones negativos en el semiconductor tipo P, y en el N por iones positivos.
La barrera de potencial se ha formado por el paso de las cargas mayoritarias a través de la unión. Su naturaleza es tal que se opone al paso de las cargas mayoritarias, favoreciendo el paso de las cargas minoritarias: huecos de la N a la P y electrones de la P a la N.
Todo portador mayoritario que atraviesa la unión aumenta la barrera de potencial.
Se establece un equilibrio dinámico en la unión, de forma que la corriente de difusión, de portadores mayoritarios, y la de fugas, de portadores minoritarios, son iguales, dando una intensidad total igual a cero.
Su símbolo eléctrico es el representado, donde A es el ánodo y K el cátodo.
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Se define como una zona de pequeño espesor ( 1 micra) dentro de un monocristal en el cual la conductividad pasa gradualmente del tipo P al tipo N.
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| Unión P-N |
La conducción se debe principalmente a los átomos de las impurezas.
En el tipo P se tienen iones negativos debido a los electrones que acogen los huecos, así como huecos libres.
En este tipo N se tienen iones positivos debido a los electrones que se liberan y
asimismo hay electrones libres.
Unión P-N a circuito abierto
En las proximidades de la unión habrá electrones de la parte N que se recombinen con huecos de la P (corriente de difusión).
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| Unión P-N a circuito abierto |
Este paso de cargas mayoritarias producirá una carga espacial en las proximidades de la unión, dando lugar a un campo eléctrico que se opone a que pasen más cargas o portadores mayoritarios por la unión (electrones de la N a la P y huecos de la P a la N).
La barrera de potencial está formada por los iones negativos en el semiconductor tipo P, y en el N por iones positivos.
La barrera de potencial se ha formado por el paso de las cargas mayoritarias a través de la unión. Su naturaleza es tal que se opone al paso de las cargas mayoritarias, favoreciendo el paso de las cargas minoritarias: huecos de la N a la P y electrones de la P a la N.
Todo portador mayoritario que atraviesa la unión aumenta la barrera de potencial.
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| Barrera de potencial |
La corriente de portadores minoritarios es debida a la agitación térmica y depende sólo de la temperatura de la unión.
Se establece un equilibrio dinámico en la unión, de forma que la corriente de difusión, de portadores mayoritarios, y la de fugas, de portadores minoritarios, son iguales, dando una intensidad total igual a cero.
Su símbolo eléctrico es el representado, donde A es el ánodo y K el cátodo.
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| Símbolo del Diodo, el cátodo y ánodo |
Escrito por Archie Tecnology
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Muy buen aporte, es la información que necesito. Muchas gracias por sus enseñanzas.��
ResponderEliminarMuchas gracias por su apoyo, saludos.
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