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SEMICONDUCTOR UNIÓN P-N

Unión P-N


Se define como una zona de pequeño espesor ( 1 micra) dentro de un monocristal en el cual la conductividad pasa gradualmente del tipo P al tipo N.

Unión P-N
La conducción se debe principalmente a los átomos de las impurezas.

En el tipo P se tienen iones negativos debido a los electrones que acogen los huecos, así como huecos libres.

En este tipo N se tienen iones positivos debido a los electrones que se liberan y
asimismo hay electrones libres.

Unión P-N a circuito abierto


En las proximidades de la unión habrá electrones de la parte N que se recombinen con huecos de la P (corriente de difusión).
Unión P-N a circuito abierto
Este paso de cargas mayoritarias producirá una carga espacial en las proximidades de la unión, dando lugar a un campo eléctrico que se opone a que pasen más cargas o portadores mayoritarios por la unión (electrones de la N a la P y huecos de la P a la N).

La barrera de potencial está formada por los iones negativos en el semiconductor tipo P, y en el N por iones positivos.

La barrera de potencial se ha formado por el paso de las cargas mayoritarias a través de la unión. Su naturaleza es tal que se opone al paso de las cargas mayoritarias, favoreciendo el paso de las cargas minoritarias: huecos de la N a la P y electrones de la P a la N.

Todo portador mayoritario que atraviesa la unión aumenta la barrera de potencial.

Barrera de potencial
La corriente de portadores minoritarios es debida a la agitación térmica y depende sólo de la temperatura de la unión.

Se establece un equilibrio dinámico en la unión, de forma que la corriente de difusión, de portadores mayoritarios, y la de fugas, de portadores minoritarios, son iguales, dando una intensidad total igual a cero.

Su símbolo eléctrico es el representado, donde A es el ánodo y K el cátodo.

Símbolo del Diodo, el cátodo y ánodo

Escrito por Archie Tecnology

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2 comentarios:

  1. Muy buen aporte, es la información que necesito. Muchas gracias por sus enseñanzas.��

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