TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE UNION. JFET

Su estructura responde a la que aparece en la siguiente figura, en que se aprecia cómo sobre un substrato tipo P, existen dos zonas tipo N unidas mediante un canal N.

Estructura interna del transistor JFET

Los electrodos principales del JFET se llaman Surtidor y Drenador y corresponden al Emisor y Colector del transistor bipolar.

El substrato hace de Base y se llama, en este tipo de transistor, Puerta.

Al aplicar una tensión externa de polarización entre el Surtidor y el Drenador (V_SD), circula una corriente de electrones I_D, tal como queda reflejado en la figura siguiente.

Circulación corriente al polarizar entre el surtidor y drenador de un JFET

En la figura anterior, el canal se comporta como una resistencia al paso de la corriente entre el Surtidor y el Drenador.

Al aplicar una tensión inversa entre la Puerta y el Surtidor, V_PS, se forma una barrera de potencial en la unión NP y una zona vacía de portadores mayoritarios (electrones) en el canal. El espesor de estas zonas vacías depende del valor de V_PS e influye en el valor de la I_D. Es como si el canal aumenta su resistencia. Ver la figura siguiente.

Comportamiento del transistor JFET al polarizarlo

Cuando la tensión V_PS alcanza tal valor que las zonas vacías invaden todo el canal y anulan la corriente I_D, a dicho valor se llama «tensión de corte».

En realidad la tensión V_SD también influye en I_D, puesto que queda en serie con V_PS y aumenta la polarización inversa de la unión NP, como se muestra en la figura siguiente.

Polarización del transistor JFET

En las curvas características de los transistores de efecto de campo de unión, presentadas en la figura siguiente, se aprecia que cuando el voltaje V_PS alcanza cierto valor denominado "voltaje limitador", la I_D apenas varía.

Curva característica del transistor efecto de campo JFET

Los símbolos de los JFET se ofrecen en esta otra figura.

Símbolos de los JFET

Conviene darse cuenta que en los transistores bipolares, las variaciones de la corriente de entrada, I_B, provocaban variaciones en la corriente de salida, I_C, mientras los transistores JFET son las variaciones de la tensión de entrada, V_PS, las que originan las variaciones de la corriente I_D. En los transistores bipolares existe un control de «corriente» y en los JFET, el control es de «tensión».

Escrito por Archie Tecnology

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