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| Efecto transistor |
Tanto en el tipo NPN como en el PNP, el transistor consiste en dos uniones N-P, que se comportan como diodos semiconductores, una de las cuales está inversamente polarizada. Se consigue que circule por ella una gran intensidad polarizando directamente, pero con un valor muy inferior, Vd < Vi , la otra unión y haciendo circular por ella una debilísima corriente. El efecto transistor es tanto más patente cuanto menos intensidad circula por la base, es decir, cuanto menor porcentaje de IE desvíe por la base, dando origen a IB. Téngase en cuenta que siempre se cumple IE
= IB + IC.
La figura siguiente muestra el comportamiento de los dos tipos de transistores, asemejando cada uno a las dos uniones N-P.
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| Comportamiento de los transistores tipo PNP y NPN |
La potencia desarrollada en la salida del transistor, que es el colector, es grande ( I2
. R ), por pasar una intensidad importante por un circuito de gran resistencia interna (está polarizada la unión base-colector inversamente), mientras que para conseguir este resultado sólo ha sido preciso hacer circular una débil intensidad por el circuito de entrada, o sea, entre base y emisor, que posee una pequeña resistencia interna y la potencia que consume es despreciable. De aquí se desprende que el valor de Vd es muy inferior al de Vi.
Escrito por Archie Tecnology
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