CIRCULACIÓN DE CORRIENTE EN LOS SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

Semiconductores extrínsecos

Sometiendo un semiconductor extrínseco a una diferencia de potencial se produce en él una circulación de portadores más importante que en el semiconductor intrínseco, a consecuencia del mayor número de portadores libres. Si a un semiconductor de tipo N se le aplica una tensión entre sus extremos se produce un gran movimiento de electrones (portadores mayoritarios) hacia el borne positivo, mientras que los huecos, al existir en tan escaso número, provocarán una debilísima corriente en sentido contrario.

En la siguiente figura se representa con flechas de trazo grueso el movimiento de los portadores mayoritarios y con trazo discontinuo el de los minoritarios.

Movimiento de los portadores mayoritarios y de los minoritarios

Por cada electrón que sale del semiconductor N, atraído hacia el polo positivo de la pila, hay otro que desprende el borne negativo de la pila y lo introduce en la estructura, por lo que ésta mantiene siempre la misma concentración de portadores mayoritarios. Por otro lado, la pequeña corriente de portadores minoritarios supone una consideración similar a la anterior, teniendo en cuenta que los huecos no existen y lo que en realidad ocurre es un movimiento de electrones en sentido contrario.

También al aplicar una tensión a un semiconductor de tipo P se producen dos corrientes de portadores: una, muy importante, de huecos y otra, casi despreciable, de electrones, tal como queda representado en ésta figura.

Corrientes de portadores de huecos y de electrones

Resumiendo

La concentración inicial de portadores mayoritarios y minoritarios se mantiene en la estructura del semiconductor extrínseco al aplicarle una diferencia de potencial, porque la misma cantidad que absorbe un borne de la alimentación lo aporta el otro.

Escrito por Archie Tecnology

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